mos管的工作原理是金属氧化物半导体场效应晶体管（简称mos管），它是利用绝缘栅极下的p型区与源漏之间的扩散电流和电场在垂直方向上的不同导电特性来工作的。其特点是：

1. 栅极电压很低，一般在几伏到几十伏之间；

2. 源漏电阻很大，一般都在几百千欧以上；

3. 电流极小或为0，所以称为"零电阻"，即对信号几乎不产生任何影响；

4. 工作温度范围很宽，从-55°C至+150°C左右。

5. 放大倍数大、噪声小、功耗低等优良性能。

6. mos管的输入端加有控制电极以使mos管的导通状态受控制而稳定下来，这种电路叫门电路（gated circ it）或称阈值电路（threshold circ it）。

7. 在输出端加一保护二极管以防负载短路时损坏mos 管。

8. mos管具有单向导电性：
当外加正电压时则处于正向偏置工作状态；反之则处于反向偏置工作状态.

9. 当给负电源供电时，若将管子加上反压则为开路.

10. 开关闭合后必须用外力使其复位方可正常工作

11. 由于mos管的驱动功率很小（2~4w），因此非常适合于作低频大功率开关器件应用场合的开关电源中作为功率级使用

12. 由于该器件的输入阻抗高（10kω以上）故可制成高压大电流的双极型稳压器

13. 该类器件由于输入阻抗很高（100~1000kω），因而可用于高频领域

14. 该类器件因耐压高、体积小、重量轻及可靠性高等优点而成为目前最热门的电子元件

15. 它是一种集成功率极高的双极性共发射三极管和互补对称三极管于一体的新型复合半导体器件

16. 它的工作原理是依靠pn结的形成把栅源间的势垒变薄

17. 其优点是效率高（可达80%）、抗辐射能力强以及耐高温性能好

18. 但它也有缺点：
（1） 耐过载能力差 （2） 输入电阻较大 （3） 驱动功率较小 （4） 输出阻抗较高 （5） 对环境要求比较高 （6） 制造工艺较复杂 （7） 价格昂贵 （9） 抗干扰性能较差 （10） 稳定性不好 （11） 不适于做大功率集成电路中的沟道增强器 二 . 三极管 三极管是由三个PNP型的硅半导体材料组成的pn结芯片封装在一个